Il transistor, un elemento fondamentale per l’elettronica, compie 75 anni
L'invenzione vincitrice del premio Nobel ha aperto la strada per l'era dei semiconduttori
I transistor, componenti essenziali che si trovano all’interno di qualsiasi dispositivo elettronico permettendo di svolgere qualsiasi azione, dal fare una semplice telefonata all’andare sulla Luna, compiono 75 anni.
Gli esperimenti che portarono alla produzione del primo dispositivo che aprì la strada all’era dei semiconduttori avvennero tra il 17 novembre e il 23 dicembre 1947. Il transistor fu una delle più grandi invenzioni del secolo al punto che nel 1956 i tre inventori John Bardeen, Walter Brattain e William Shockley vinsero il premio Nobel.
I transistor nacquero come dispositivi capaci di controllare, in modo simile a degli interruttori, il flusso di corrente all’interno di un circuito elettrico. La loro semplicità ed efficienza ha permesso l’esplosione rapida dell’elettronica che non ha più avuto rallentamenti. Questi dispositivi si trovano ovunque, dai telefonini o televisori più semplici fino ad arrivare ai moderni supercomputer e ai razzi per viaggiare nello spazio. In 75 anni si stima siano stati prodotti circa 3mila miliardi di miliardi di transistor.
John Bardeen e Walter Brattain, due giovani ingegneri elettronici dei Laboratori Bell, hanno iniziato i loro esperimenti il 17 novembre del 1947, sviluppando in poche settimane un prototipo che attirò l’attenzione di William Shockley, uno dei responsabili dei laboratori. L’idea fu sviluppata in breve tempo aprendo la strada all’elettronica moderna.
In 75 anni questi diventarono sempre più piccoli e miniaturizzati, permettendo di sviluppare dispositivi sempre più potenti, tanto da riuscire ad averne miliardi integrati in un chip di un singolo smartphone. La corsa alla miniaturizzazione non proseguirà oltre poiché, secondo i ricercatori, si è raggiunto un limite ormai difficile da superare, ma si tenteranno nuovi approcci ingegneristici con chip studiati per aumentare le velocità di calcolo, integrazione tridimensionale oppure ancora sfruttando nuovi materiali semiconduttori.