Samsung: Il primo lotto di chip GAA da 3 nm verrà spedito il 25 luglio
Samsung batterà ufficialmente TSMC introducendo sul mercato la sua tecnologia di chip GAA a 3 nm, con il primo lotto che dovrebbe essere consegnato il 25 luglio.
Sembra che Samsung introdurrà sul mercato la sua nuova tecnologia di chip GAA a 3nm, ma sfortunatamente, nessun fornitore di chipset per smartphone trarrà vantaggio dal processo di produzione di prossima generazione, almeno per ora. Secondo quanto riferito, Samsung fornirà il primo lotto di chip GAA da 3 nm per scopi di mining di criptovaluta, in quanto martedì, fonti dell’industria e del governo hanno dichiarato che Samsung intende tenere la prima cerimonia di spedizione di chip GAA da 3 nm presso il suo centro di produzione a Hwaseong, nella provincia di Gyeonggi, il 25 luglio.
Lee Chang-yang, ministro del commercio, dell’industria e dell’energia e Kyung Kye-hyun, Presidente e CEO della divisione Device Solution di Samsung, parteciperanno alla cerimonia. Per quanto riguarda chi riceverà il primo lotto, Business Korea fornisce i seguenti dettagli:
L’acquirente a ricevere il primo lotto è un minatore di criptovalute cinese ed è un cliente di cui non ci si può fidare a lungo termine date le attuali condizioni del mercato delle criptovalute. Inoltre, i chip da 3 nm sono prodotti non a Pyeongtaek ma a Hwaseong e ciò implica una scala di produzione relativamente piccola in quanto le migliori apparecchiature di Samsung Electronics si trovano a Pyeongtaek e Hwaseong è il luogo in cui sviluppa tecnologie di produzione.
Per quanto riguarda i chipset per smartphone, Samsung potrebbe utilizzare la sua tecnologia GAA a 3 nm per produrre in serie il prossimo Exynos 2300. Il SoC potrebbe essere utilizzato nella prossima serie Galaxy S23 e forse una sua variante potrebbe essere utilizzata da Google per il suo chip Tensor di terza generazione per la famiglia Pixel 8, ma a parte questo, Qualcomm potrebbe potenzialmente approfittarne, ma solo se TSMC riscontra problemi di resa con la propria tecnologia a 3 nm.
